Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4610PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont73A
Resistance, Rds On11mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220 (SOT-78B)
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ3550pF
Case Style, AlternateSOT-78B
Current, Idm Pulse290A
Energy, Avalanche Single Pulse Eas370mJ
Pin Configurationa
Pin Format1G, (2+Tab)D, 3S
Pins, No. of3
Pitch, Lead2.54mm
Power Dissipation190W
Power, Pd190W
Power, Ptot190W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.014ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, trr Typ35ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Voltage, Vgs th Min2V


IRFB4610PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB4610PBF

Наименование IRFB4610PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247861
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB4610PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP126N10N3GXKSA1

    IPP126N10N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  IRF8010PBF

    IRF8010PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 80A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:80A; Resistance, Rds On:0.015ohm;…

  • Изображение  IRFB4710PBF

    IRFB4710PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 75A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:75A; Resistance, Rds On:0.014ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:300A; Pins, No.…

  • Изображение  IRF8010

    IRF8010
    INFIN

    MOSFET: N, 100 В, Q1: N, 15mΩ / 10V, 80 А

  • Изображение  IRFB4610

    IRFB4610
    INFIN

    Полевой транзистор. 100V. 73A.

  • Изображение  IRFB4710

    IRFB4710
    INFIN

    Полевой транзистор. 100V. 75A.

Изображения IRFB4610PBF

IRFB4610PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB4610PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
76,00 руб
от 19 шт. 66,50 руб
от 50 шт. 57,00 руб
от 100 шт. 52,00 руб
Наличие на складе
951 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом