Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB59N10DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 59A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse236A
Pins, No. of3
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5.5V


IRFB59N10DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB59N10DPBF

Наименование IRFB59N10DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247821
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB59N10DPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB59N10D

    IRFB59N10D
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.025ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:236A; Pins, No.…

  • Изображение  IRF3710ZPBF

    IRF3710ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4410; Charge, Gate N-channel:83nC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…

Изображения IRFB59N10DPBF

IRFB59N10DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB59N10DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
116,00 руб
от 12 шт. 102,00 руб
от 35 шт. 86,50 руб
от 76 шт. 79,50 руб
Наличие на складе
19 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом