Терраэлектроника

IRG4BC40WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed160A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall74ns
Time, Fall Max74ns
Time, Rise22ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC40WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC40WPBF

НаименованиеIRG4BC40WPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул247755
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4BC40WPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC40W

    IRG4BC40W
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:160A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
132,50 руб
от 11 шт. 116,00 руб
от 32 шт. 99,50 руб
от 69 шт. 91,50 руб
Наличие на складе
3 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом