Терраэлектроника

IRF640NLPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds200V
Continuous Drain Current, Id18A
On Resistance, Rds(on)150mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseTO-262


Параметры IRF640NLPBF

НаименованиеIRF640NLPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул247344
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C
Серия

Аналоги IRF640NLPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом