Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF640NLPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds200V
Continuous Drain Current, Id18A
On Resistance, Rds(on)150mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseTO-262


Параметры IRF640NLPBF

Наименование IRF640NLPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247344
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Vgs для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Серия

Аналоги IRF640NLPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFSL4127PBF

    IRFSL4127PBF
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом