Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 11A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.52ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse44A
Pins, No. of3
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V


IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFB11N50APBF

Наименование IRFB11N50APBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 246909
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id

Изображения IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
75,50 руб
от 50 шт. 64,50 руб
от 100 шт. 59,50 руб
Наличие на складе
248 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом