Терраэлектроника

IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, N, 500V, 11A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont11A
Resistance, Rds On0.52ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse44A
Pins, No. of3
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max500V
Voltage, Vgs th Max4V


IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

Параметры IRFB11N50APBF

НаименованиеIRFB11N50APBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул246909
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Изображения IRFB11N50APBF

IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. IRFB11N50APBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
79,00 руб
от 19 шт. 69,00 руб
от 50 шт. 59,00 руб
от 100 шт. 54,50 руб
Наличие на складе
356 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом