Терраэлектроника

IRF3710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 100V, 57A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:46A; Resistance, Rds On:0.028ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:180A; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:150W; Power, Pd:150W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.75°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V


IRF3710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3710PBF

НаименованиеIRF3710PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул245232
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Корпус
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF3710PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF3710

    IRF3710
    INFIN

    Полевой транзистор. 100V. 57A.

  • Изображение  IRF3710ZPBF

    IRF3710ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

Изображения IRF3710PBF

IRF3710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3710PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
42,50 руб
от 34 шт. 37,00 руб
от 100 шт. 32,00 руб
от 200 шт. 29,00 руб
Наличие на складе
5149 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом