Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRLML6402, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, P SOT-23

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Current, Id Cont3.7A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Case StyleSOT-23 (TO-236)
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ633pF
Charge, Gate P Channel12nC
Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C11nC
Current, Idm Pulse22A
Current, Idss Max1.0чA
Depth, External2.5mm
Energy, Avalanche Single Pulse Eas11mJ
Length / Height, External1.12mm
Marking, SMD1E
Pins, No. of3
Power Dissipation1.3W
Power, Pd1.3W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Time, Fall381s
Time, Rise48ns
Time, trr Typ29ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Voltage, Vgs th Max-0.95V
Voltage, Vgs th Min-0.4V
Width, External3.05mm
Width, Tape8mm


IRLML6402, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLML6402

НаименованиеIRLML6402
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул245067
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IRLML6402, доступные на складе

  • Изображение  IRLML6402TRPBF

    IRLML6402TRPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, P REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

  • Изображение  IRLML6402TR

    IRLML6402TR
    INFIN

    MOSFET Transistor Package/Case:Micro-3;

  • Изображение  IRLML6402PBF

    IRLML6402PBF
    INFIN

    MOSFET, P, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:3.7A; Resistance, Rds On:0.065ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:4.5V; Voltage, Vgs th Typ:-0.55V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Capacitance, Ciss Typ:633pF; Charge, Gate P Channel:12nC; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:11nC; Current, Idm Pulse:22A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:2.5mm; Device Marking:IRLML6402; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:11mJ; Length / Height, External:1.12mm; Marking, SMD:1E; Pins, No.…

  • Изображение  IRLML6402GTRPBF

    IRLML6402GTRPBF
    INFIN

    20V-250V P-Channel Power MOSFET,

Изображения IRLML6402

IRLML6402, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLML6402, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом