Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 23A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max23A
Voltage, Vce Sat Max2.7V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall150ns
Time, Fall Max150ns
Time, Rise17ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30WPBF

Наименование IRG4BC30WPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 244979
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30WPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30W

    IRG4BC30W
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:2.7V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:92A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4BC30UPBF

    IRG4BC30UPBF
    INFIN

    IGBT, 600V, 23A, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:23A; Voltage, Vce Sat Max:2.5V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:92A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
89,00 руб
от 39 шт. 76,50 руб
от 100 шт. 70,00 руб
Наличие на складе
445 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом