Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 80V, 38A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont38A
Resistance, Rds On0.029ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse150A
Marking, SMDIRFR3518
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Voltage, Vds Max80V


IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR3518PBF

НаименованиеIRFR3518PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул244667
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRFR3518PBF, доступные на складе

Изображения IRFR3518PBF

IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом