Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 80V, 38A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont38A
Resistance, Rds On0.029ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse150A
Marking, SMDIRFR3518
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Voltage, Vds Max80V


IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR3518PBF

Наименование IRFR3518PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 244667
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

Аналоги IRFR3518PBF, доступные на складе

Изображения IRFR3518PBF

IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом