Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max3.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed180A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max500ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50UPBF

Наименование IRG4PH50UPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 243679
Напряжение насыщения К-Э
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

Аналоги IRG4PH50UPBF, доступные на складе

  • Изображение  HGTG11N120CND

    HGTG11N120CND
    FAIR

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, N

  • Изображение  IRG4PH50U

    IRG4PH50U
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG7PH35UDPBF

    IRG7PH35UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH50UPBF

IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
317,00 руб
от 11 шт. 272,00 руб
от 25 шт. 249,00 руб
Наличие на складе
260 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом