Терраэлектроника

IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 1200V, 45A, TO-247AC

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max45A
Voltage, Vce Sat Max3.7V
Power Dissipation200W
Case StyleTO-247AC
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed180A
Pins, No. of3
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max500ns
Time, Rise15ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH50UPBF

НаименованиеIRG4PH50UPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул243679
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4PH50UPBF, доступные на складе

  • Изображение  HGTG11N120CND

    HGTG11N120CND
    FAIR

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, N

  • Изображение  IRG4PH50U

    IRG4PH50U
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:45A; Voltage, Vce Sat Max:3.7V; Power Dissipation:200W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:180A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG7PH35UDPBF

    IRG7PH35UDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

Изображения IRG4PH50UPBF

IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH50UPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
256,00 руб
от 6 шт. 224,00 руб
от 16 шт. 192,00 руб
от 34 шт. 176,00 руб
Наличие на складе
261 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом