Терраэлектроника

IRF6646TR1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, DIRECTFET, MN

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On7.6mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.9V
Case StyleMN
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2060pF
Current, Idm Pulse96A
Marking, SMD6646
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ36ns
Voltage, Vds80V
Voltage, Vds Max80V


Параметры IRF6646TR1

НаименованиеIRF6646TR1
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул243642
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность

Документация для IRF6646TR1

Аналоги IRF6646TR1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
200,00 руб
от 8 шт. 175,00 руб
от 21 шт. 150,00 руб
от 46 шт. 137,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом