Терраэлектроника

M27C512-90F6, ST Microelectronics

Электрически программируемая ИМС памяти EPROM c УФ стиранием. Емкость 512 КБит (64Кбх8). В корпусе FDIP28W. Время обращения 90 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон -40/+85 С.


M27C512-90F6, ST Microelectronics

Параметры M27C512-90F6

НаименованиеM27C512-90F6
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул24308
Организация памяти
Uпит, В
Время доступа, нс
Iпотр/Istnb мА/мкА
Температурный диапазон, °С

Аналоги M27C512-90F6, доступные на складе

  • Изображение  M27C512-15F6

    M27C512-15F6
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-28-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 кбит; Организация: 64Kx8; Скорость: 150ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

Изображения M27C512-90F6

M27C512-90F6, ST Microelectronics M27C512-90F6, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом