Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD127T4, STMicroelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 4 В
IК(макс) 8 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 4 МГц


MJD127T4, STMicroelectronics

Параметры MJD127T4

Наименование MJD127T4
Производитель STMicroelectronics (ST)
Артикул 242798
Макс. рабочая частота
Корпус
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора Ic
Vce макс.
Тип проводимости и конфигурация
Коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD127T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD127T4G

    MJD127T4G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4V; Power Dissipation, Pd:25W

  • Изображение  MJD127G

    MJD127G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:1000; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Device Marking:MJD127; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD127; Pins, No.…

Изображения MJD127T4

MJD127T4, STMicroelectronics MJD127T4, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,40 руб
от 224 шт. 13,20 руб
от 486 шт. 12,10 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом