Терраэлектроника

MJD127T4, ST Microelectronics

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 4 В
IК(макс) 8 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 4 МГц


MJD127T4, ST Microelectronics

Параметры MJD127T4

НаименованиеMJD127T4
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул242798
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги MJD127T4, доступные на складе

  • Изображение  MJD127T4G

    MJD127T4G
    ONS

    Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4V; Power Dissipation, Pd:25W

  • Изображение  MJD127G

    MJD127G
    ONS

    Склад (1-2 дн)

    DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:1000; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Device Marking:MJD127; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD127; Pins, No.…

Изображения MJD127T4

MJD127T4, ST Microelectronics MJD127T4, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,50 руб
от 86 шт. 14,50 руб
от 250 шт. 12,50 руб
от 545 шт. 11,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом