Терраэлектроника

IRG4BC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 31A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max31A
Voltage, Vce Sat Max1.9V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed120A
Device MarkingIRG4BC30FDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max160ns
Time, Rise26ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30FDPBF

НаименованиеIRG4BC30FDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул242567
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4BC30FDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4BC30FD

    IRG4BC30FD
    INFIN

    IGBT, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:31A; Voltage, Vce Sat Max:1.9V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-220; Current, Icm Pulsed:120A; Pins, No.…

Изображения IRG4BC30FDPBF

IRG4BC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30FDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
113,50 руб
от 13 шт. 99,50 руб
от 37 шт. 85,00 руб
от 80 шт. 78,00 руб
Наличие на складе
428 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом