Терраэлектроника

MJD31CG, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Application CodePGP
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE1A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD31C
Power, Ptot15W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.73mm
ft, Min3MHz


MJD31CG, On Semiconductor

Параметры MJD31CG

НаименованиеMJD31CG
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул242045
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,50 руб
от 75 шт. 14,00 руб
от 225 шт. 12,00 руб
от 525 шт. 11,00 руб
Наличие на складе
4087 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом