Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD31CG, On Semiconductor

TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Application CodePGP
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE1A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD31C
Power, Ptot15W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.73mm
ft, Min3MHz


MJD31CG, On Semiconductor

Параметры MJD31CG

Наименование MJD31CG
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 242045
Transition Frequency ft
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов

Аналоги MJD31CG, доступные на складе

  • Изображение  MJD31CT4

    MJD31CT4
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
15,30 руб
от 75 шт. 13,40 руб
от 300 шт. 11,50 руб
от 600 шт. 10,50 руб
Наличие на складе
5761 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом