Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRS2003PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET DRIVER HALF-BRIDGE 8DIP; Case Style:DIP; Temperature, Operating Range:-40°C to +125°C; Termination Type:Through Hole

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • Floating channel designed for bootstrap operation
  • Fully operational to +200 V
  • Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
  • Gate drive supply range from 10 V to 20 V
  • Undervoltage lockout
  • 3.3 V, 5 V, and 15 V logic compatible
  • Cross-conduction prevention logic
  • Matched propagation delay for both channels
  • Internal set deadtime
  • High-side output in phase with HIN input
  • Low-side output out of phase with LIN input
  • RoHS compliant

IRS2003PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRS2003PBF

Наименование IRS2003PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 241995
Тmin,°C
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение смещения
Макс. выходной ток спада
Макс. выходной ток нарастания
toff ()
ton ()
Тип устройства
Напряжение питания Max
Напряжение питания Min
Пиковый выходной ток
Конфигурация
RoHS Phthalates Compliant
Кол-во нижних каналов
Кол-во верхних каналов
Кол-во выводов

Изображения IRS2003PBF

IRS2003PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRS2003PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRS2003PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRS2003PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
61,50 руб
от 50 шт. 52,50 руб
от 100 шт. 48,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом