Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1405PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 55V, 133A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:169A; Resistance, Rds On:0.0053ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:680A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:330W; Power, Pd:330W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.0053ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:0.45°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V


IRF1405PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1405PBF

Наименование IRF1405PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 241795
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF1405PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPP530N15N3GXKSA1

    IPP530N15N3GXKSA1
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

  • Изображение  STP150NF55

    STP150NF55
    ST

    MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 55 В; Iс(25°C): 150 А; Rси(вкл): 6 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 140 нКл

  • Изображение  IRFB3206PBF

    IRFB3206PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 60V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:210A; Resistance, Rds On:0.003ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:3206; Charge, Gate N-channel:120nC; Current, Idm Pulse:840A; Pins, No.…

  • Изображение  IRF1405

    IRF1405
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:169A; Resistance, Rds On:0.0053ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:680A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  IPP12CN10LGXKSA1

    IPP12CN10LGXKSA1
    INFIN

    80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

  • Изображение  SPD15P10PGBTMA1

    SPD15P10PGBTMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the hig…

Изображения IRF1405PBF

IRF1405PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1405PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
71,50 руб
от 48 шт. 61,50 руб
от 105 шт. 56,50 руб
Наличие на складе
3694 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом