Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:68A; Resistance, Rds On:0.0125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:270A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:115W; Power, Pd:115W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.011ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.2°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V


IRF1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010NPBF

Наименование IRF1010NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 240808
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF1010NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRF1010N

    IRF1010N
    INFIN

    MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:68A; Resistance, Rds On:0.0125ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:270A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

  • Изображение  IPP093N06N3GXKSA1

    IPP093N06N3GXKSA1
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

Изображения IRF1010NPBF

IRF1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
47,70 руб
от 72 шт. 40,90 руб
от 157 шт. 37,60 руб
Наличие на складе
1333 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом