Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30KD-SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, D2-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max28A
Voltage, Vce Sat Max2.21V
Power Dissipation100W
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed58A
Marking, SMDIRG4BC30KDS
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ160ns
Time, Rise42ns
Voltage, Vceo600V


Параметры IRG4BC30KD-SPBF

Наименование IRG4BC30KD-SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 240296
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4BC30KD-SPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
138,00 руб
от 25 шт. 119,00 руб
от 50 шт. 109,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом