Терраэлектроника

IRG4BC30KD-SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, D2-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max28A
Voltage, Vce Sat Max2.21V
Power Dissipation100W
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed58A
Marking, SMDIRG4BC30KDS
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ160ns
Time, Rise42ns
Voltage, Vceo600V


Параметры IRG4BC30KD-SPBF

НаименованиеIRG4BC30KD-SPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул240296
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd

Аналоги IRG4BC30KD-SPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
138,00 руб
от 11 шт. 121,00 руб
от 31 шт. 103,50 руб
от 66 шт. 95,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом