Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4BC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 23A, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max23A
Voltage, Vce Sat Max2.5V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed92A
Device MarkingIRG4BC30UDPBF
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max80ns
Time, Rise21ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4BC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4BC30UDPBF

НаименованиеIRG4BC30UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул240196
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4BC30UDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRGB4062DPBF

    IRGB4062DPBF
    INFIN

    IGBT, COPAK, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:48A; Voltage, Vce Sat Max:1.65V;…

  • Изображение  IRG4BC30UD

    IRG4BC30UD
    INFIN

    IGBT-транзистор+диод. 600V. 23A

  • Изображение  IRGB4061DPBF

    IRGB4061DPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, TO-220; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:36A; Voltage, Vce Sat Max:1.65V; Power Dissipation:206W;…

Изображения IRG4BC30UDPBF

IRG4BC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4BC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
135,00 руб
от 10 шт. 118,00 руб
от 29 шт. 101,00 руб
от 50 шт. 92,50 руб
Наличие на складе
711 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом