Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFR120ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 100V, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont8.7A
Resistance, Rds On0.19ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Base Number120
Current, Idm Pulse35A
Pins, No. of3
Power Dissipation35mW
Voltage, Vds Max100V


IRFR120ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFR120ZPBF

Наименование IRFR120ZPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 240195
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность

Аналоги IRFR120ZPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFR120ZTRPBF

    IRFR120ZTRPBF
    INFIN

    POWER MOSFET, 20V-300V, N-CHANNEL

  • Изображение  IRFR120NPBF

    IRFR120NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 100V, 9.1A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:9.1A; Resistance, Rds On:0.21ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:38A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR120N; Power Dissipation:39W; Power, Pd:39W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.2°C/W; Transistors, No.…

  • Изображение  IRFR120Z

    IRFR120Z
    INFIN

    Полевой транзистор. 100V. 8.7A.

  • Изображение  IRFR120PBF

    IRFR120PBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:7.7A; On Resistance, Rds(on):270mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

  • Изображение  IRFR120NTRLPBF

    IRFR120NTRLPBF
    INFIN

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:9.4A; On Resistance, Rds(on):210mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRFR120ZPBF

IRFR120ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR120ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR120ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
21,20 руб
от 163 шт. 18,10 руб
от 354 шт. 16,70 руб
Наличие на складе
6937 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом