Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1010ESPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, 60V, 83A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont83A
Resistance, Rds On0.012ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse330A
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.012ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Voltage, Vds60V
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max4V


IRF1010ESPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF1010ESPBF

Наименование IRF1010ESPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 239897
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

Аналоги IRF1010ESPBF, доступные на складе

Изображения IRF1010ESPBF

IRF1010ESPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010ESPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF1010ESPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
115,00 руб
от 31 шт. 98,00 руб
от 66 шт. 90,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом