Терраэлектроника

IRGIB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 9A, TO-220FP

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max9A
Voltage, Vce Sat Max2.2V
Power Dissipation32W
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed22A
Power, Pd32W
Time, Fall22ns
Time, Fall Max22ns
Time, Rise17ns
Voltage, Vceo600V


IRGIB6B60KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGIB6B60KDPBF

НаименованиеIRGIB6B60KDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул239599
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd

Аналоги IRGIB6B60KDPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
140,00 руб
от 10 шт. 122,00 руб
от 29 шт. 105,00 руб
от 50 шт. 96,00 руб
Наличие на складе
43 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом