Терраэлектроника

IRG4IBC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, 600V, 17A, TO-220FP

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max17A
Voltage, Vce Sat Max1.95V
Power Dissipation45W
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed92A
Pins, No. of3
Power, Pd45W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max180ns
Time, Rise21ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4IBC30UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4IBC30UDPBF

НаименованиеIRG4IBC30UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул238804
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги IRG4IBC30UDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4IBC30UD

    IRG4IBC30UD
    INFIN

    IGBT, TO-220 FULLPAK; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:17A; Voltage, Vce Sat Max:1.95V; Power Dissipation:45W; Case Style:TO-220 Fullpak; Current, Icm Pulsed:92A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
132,00 руб
от 11 шт. 115,50 руб
от 30 шт. 99,00 руб
от 66 шт. 91,00 руб
Наличие на складе
6220 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом