Терраэлектроника

IRG4IBC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-220 FULLPAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max11.4A
Voltage, Vce Sat Max1.85V
Power Dissipation34W
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed52A
Pins, No. of3
Power, Pd34W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max220ns
Time, Rise17ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V


IRG4IBC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4IBC20UDPBF

НаименованиеIRG4IBC20UDPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул238102
Корпус
Напряжение К-Э макс.
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd

Аналоги IRG4IBC20UDPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
108,50 руб
от 14 шт. 95,00 руб
от 39 шт. 81,50 руб
от 100 шт. 75,00 руб
Наличие на складе
1943 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом