Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD3055T4G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo60V
Continuous Collector Current, Ic10A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.1V
Power Dissipation, Pd20W
DC Current Gain Min (hfe)20


MJD3055T4G, On Semiconductor

Параметры MJD3055T4G

Наименование MJD3055T4G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 236888
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.

Аналоги MJD3055T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD3055T4

    MJD3055T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, NPN, 60V, 10A, TO-252-3

  • Изображение  MJD3055T4

    MJD3055T4
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; IК(макс): 10 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 2 МГц; h21: 5...100

Изображения MJD3055T4G

MJD3055T4G, On Semiconductor MJD3055T4G, On Semiconductor MJD3055T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
34,50 руб
от 40 шт. 30,20 руб
от 117 шт. 25,90 руб
от 254 шт. 23,80 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом