Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

MJD3055T4G, On Semiconductor

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo60V
Continuous Collector Current, Ic10A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.1V
Power Dissipation, Pd20W
DC Current Gain Min (hfe)20


MJD3055T4G, On Semiconductor

Параметры MJD3055T4G

НаименованиеMJD3055T4G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул236888
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение КЭ макс.
Рассеиваемая мощность
Ток коллектора
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Корпус
Максимальная рабочая температура
Граничная рабочая частота

Аналоги MJD3055T4G, доступные на складе

  • Изображение  MJD3055T4

    MJD3055T4
    ONS

    TRANSISTOR, BJT, NPN, 60V, 10A, TO-252-3

  • Изображение  MJD3055T4

    MJD3055T4
    ST

    Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; IК(макс): 10 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 2 МГц; h21: 5...100

Изображения MJD3055T4G

MJD3055T4G, On Semiconductor MJD3055T4G, On Semiconductor MJD3055T4G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
35,20 руб
от 38 шт. 30,80 руб
от 111 шт. 26,40 руб
от 241 шт. 24,20 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом