Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRLL024ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET TRANSISTOR

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont5A
Resistance, Rds On60mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Case StyleSOT-223


IRLL024ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRLL024ZPBF

Наименование IRLL024ZPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 235983
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRLL024ZPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRLL024Z

    IRLL024Z
    INFIN

    Полевой транзистор. 55V. 5.0A.

  • Изображение  IRLL024ZTRPBF

    IRLL024ZTRPBF
    INFIN

    MOSFET: N, 55 В, Q1: N, 60mΩ / 10V, 5 А

  • Изображение  IRLL014PBF

    IRLL014PBF
    VISH/IR

    MOSFET, N, 60V, 2.7A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:2V; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:22A; Depth, External:7.3mm; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:LL014; Power Dissipation:3.1W; Power, Pd:3.1W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:120°C/W; Transistors, No.…

Изображения IRLL024ZPBF

IRLL024ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLL024ZPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
25,50 руб
от 160 шт. 21,80 руб
от 320 шт. 20,10 руб
Наличие на складе
1948 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом