Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF7379TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET: N + P, 30 В, Q1: N, 45mΩ / 10V, 5.8 А, Q2: P, 90mΩ / 10V, -4.3 А

Описание с сайта производителя

Преимущества

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Dynamic dv/dt Rating
  • Fast Switching
  • Dual N and P-Channel MOSFET

IRF7379TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF7379TRPBF

Наименование IRF7379TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234982
Ток стока Id
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Серия
Тмакс,°C
Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IRF7379TRPBF, доступные на складе

Изображения IRF7379TRPBF

IRF7379TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7379TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF7379TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
33,70 руб
от 102 шт. 28,90 руб
от 222 шт. 26,50 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом