Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 250V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont46A
Resistance, Rds On0.046ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4229
Charge, Gate N-channel72nC
Current, Idm Pulse180A
Pins, No. of3
Power Dissipation330mW
Power, Pd330W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB4229PBF

Наименование IRFB4229PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234977
Макс. напряжение Vdss
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

Аналоги IRFB4229PBF, доступные на складе

  • Изображение  IPB320N20N3GATMA1

    IPB320N20N3GATMA1
    INFIN

    MOSFET, N-CH, 200V, 34A, TO263-3

  • Изображение  IRFB4229

    IRFB4229
    INFIN

    HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

  • Изображение  IRFB4332PBF

    IRFB4332PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:250V; Current, Id Cont:60A; Resistance, Rds On:0.033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4332; Charge, Gate N-channel:99nC; Current, Idm Pulse:230A; Pins, No.…

Изображения IRFB4229PBF

IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
150,00 руб
от 23 шт. 129,00 руб
от 50 шт. 118,00 руб
Наличие на складе
1236 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом