Терраэлектроника

IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 250V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont46A
Resistance, Rds On0.046ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4229
Charge, Gate N-channel72nC
Current, Idm Pulse180A
Pins, No. of3
Power Dissipation330mW
Power, Pd330W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB4229PBF

НаименованиеIRFB4229PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул234977
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Корпус
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFB4229PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4332PBF

    IRFB4332PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:250V; Current, Id Cont:60A; Resistance, Rds On:0.033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4332; Charge, Gate N-channel:99nC; Current, Idm Pulse:230A; Pins, No.…

Изображения IRFB4229PBF

IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
185,00 руб
от 8 шт. 162,00 руб
от 23 шт. 139,00 руб
от 50 шт. 127,50 руб
Наличие на складе
463 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом