Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 250V, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont45A
Resistance, Rds On0.042ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Base Number4229
Current, Idm Pulse180A
Pins, No. of3
Power Dissipation330W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V


IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFS4229PBF

Наименование IRFS4229PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234976
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs

Аналоги IRFS4229PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFS4229TRLPBF

    IRFS4229TRLPBF
    INFIN

    120V-300V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS Compliant

  • Изображение  IPB200N15N3GATMA1

    IPB200N15N3GATMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

Изображения IRFS4229PBF

IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
184,00 руб
от 19 шт. 157,00 руб
от 42 шт. 145,00 руб
Наличие на складе
2068 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом