Терраэлектроника

IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 250V, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont45A
Resistance, Rds On0.042ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Base Number4229
Current, Idm Pulse180A
Pins, No. of3
Power Dissipation330W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V


IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFS4229PBF

НаименованиеIRFS4229PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул234976
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFS4229PBF, доступные на складе

Изображения IRFS4229PBF

IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
193,50 руб
от 8 шт. 169,50 руб
от 22 шт. 145,50 руб
от 50 шт. 133,50 руб
Наличие на складе
2593 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом