Терраэлектроника

STP60NF06, ST Microelectronics

MOSFET силовой транзистор -

Тип N
Uси 60 В
Iс(25°C) 60 А
Rси(вкл) 16 мОм
@Uзатв(ном) 10 В
Qзатв 49 нКл


STP60NF06, ST Microelectronics

Параметры STP60NF06

НаименованиеSTP60NF06
ПроизводительST Microelectronics (ST)
Артикул234245
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги STP60NF06, доступные на складе

  • Изображение  IRFB7530PBF

    IRFB7530PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

  • Изображение  IRFB7537PBF

    IRFB7537PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

  • Изображение  IRFB7546PBF

    IRFB7546PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

  • Изображение  IRFZ44V

    IRFZ44V
    INFIN

    MOSFET, N TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:55A; Resistance, Rds On:0.0165ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:220A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB7540PBF

    IRFB7540PBF
    INFIN

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantImproved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

  • Изображение  IRFB7534PBF

    IRFB7534PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    StrongIRFET 60V

Показать все сопутствующие товары

Изображения STP60NF06

STP60NF06, ST Microelectronics STP60NF06, ST Microelectronics STP60NF06, ST Microelectronics
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
32,00 руб
от 50 шт. 28,00 руб
от 150 шт. 24,00 руб
от 300 шт. 22,00 руб
Наличие на складе
1948 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом