Терраэлектроника

IRFZ34NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 55V, 26A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:26A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:100A; Device Marking:IRFZ34NPBF; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:56W; Power, Pd:56W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:2.7°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V


IRFZ34NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFZ34NPBF

НаименованиеIRFZ34NPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул233983
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFZ34NPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFZ44ZPBF

    IRFZ44ZPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    40V-75V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantIndustry-leading qualityFast Switching175°…

  • Изображение  IRFZ34EPBF

    IRFZ34EPBF
    INFIN

    MOSFET, N, 60V, 28A, TO-220

  • Изображение  IRFZ34N

    IRFZ34N
    INFIN

    MOSFET, N TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:26A; Resistance, Rds On:0.04ohm; Case Style:TO-220AB; Current, Idm Pulse:100A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No.…

Изображения IRFZ34NPBF

IRFZ34NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFZ34NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFZ34NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
31,00 руб
от 50 шт. 27,00 руб
от 150 шт. 23,00 руб
от 300 шт. 21,00 руб
Наличие на складе
3381 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом