Терраэлектроника

IRF3717PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, LOGIC, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont20A
Resistance, Rds On0.0044ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse160A
Depth, External5.2mm
Length / Height, External1.75mm
Marking, SMDIRF3717PBF
Pins, No. of8
Pitch, Row6.3mm
Power Dissipation2.5W
Power, Pd2.5W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max20V
Width, External4.05mm


IRF3717PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRF3717PBF

НаименованиеIRF3717PBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул233519
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRF3717PBF, доступные на складе

Показать все сопутствующие товары

Изображения IRF3717PBF

IRF3717PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3717PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF3717PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
47,00 руб
от 31 шт. 41,50 руб
от 95 шт. 35,50 руб
от 190 шт. 32,50 руб
Наличие на складе
496 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом