Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFB4332PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 250V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont60A
Resistance, Rds On0.033ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4332
Charge, Gate N-channel99nC
Current, Idm Pulse230A
Pins, No. of3
Power Dissipation390mW
Power, Pd390W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V


Параметры IRFB4332PBF

Наименование IRFB4332PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 233447
Ток стока Id
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFB4332PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4229PBF

    IRFB4229PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:250V; Current, Id Cont:46A; Resistance, Rds On:0.046ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4229; Charge, Gate N-channel:72nC; Current, Idm Pulse:180A; Pins, No.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
153,00 руб
от 10 шт. 134,00 руб
от 27 шт. 115,00 руб
от 50 шт. 105,00 руб
Наличие на складе
7740 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом