Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRG4PH40KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3.4V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed60A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max330ns
Time, Rise31ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH40KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH40KDPBF

Наименование IRG4PH40KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 233419
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRG4PH40KDPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRG4PH30KDPBF

    IRG4PH30KDPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:3.1V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:40A; Pins, No.…

  • Изображение  IRG4PH40KD

    IRG4PH40KD
    INFIN

    IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N; Current, Ic Continuous a Max:30A; Voltage, Vce Sat Max:3.4V; Power Dissipation:160W; Case Style:TO-247; Current, Icm Pulsed:60A; Pins, No.…

Изображения IRG4PH40KDPBF

IRG4PH40KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH40KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
250,00 руб
от 6 шт. 219,00 руб
от 17 шт. 188,00 руб
от 36 шт. 173,00 руб
Наличие на складе
107 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом