Терраэлектроника

MMBFJ309LT1G, On Semiconductor

TRANSISTOR, JFET, N, 25V, SOT-23

Transistor TypeJFET
Transistor PolarityN Channel
Voltage, V(br)gss25V
Current, Idss Min12mA
Current, Idss Max30mA
Voltage, Vgs Off Max4V
Case StyleSOT-23
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Max5pF
Marking, SMD6x
Power, Ptot0.225W
Voltage, Vds Max25V
Voltage, Vgs Off Min-1V


MMBFJ309LT1G, On Semiconductor

Параметры MMBFJ309LT1G

НаименованиеMMBFJ309LT1G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул232974
Напряжение пробоя Vbr
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Min
Zero Gate Voltage Drain Current Idss Max
Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max
Корпус
Тип транзистора
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность Pd

Аналоги MMBFJ309LT1G, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
16,00 руб
от 89 шт. 14,00 руб
от 259 шт. 12,00 руб
от 564 шт. 11,00 руб
Наличие на складе
3 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом