Терраэлектроника

IRFL9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.

MOSFET, P, -100V, -1.1A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont1.1A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse8.8A
Depth, External7.3mm
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDFL9110
Power Dissipation3.1W
Power, Pd3.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A60°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max-4V
Width, External6.7mm
Width, Tape12mm


Параметры IRFL9110PBF

НаименованиеIRFL9110PBF
ПроизводительVISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул232279
Конфигурация и полярность
Ток стока Id
Макс. напряжение сток-исток
Rds(on)
Rds(on) @ Vgs
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFL9110PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFL9110TRPBF

    IRFL9110TRPBF
    VISH/IR

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-1.1A; On Resistance, Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:SOT-223

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом