Терраэлектроника

IRGPS60B120KDP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, W/DIODE, 1200V, 105A, SUPER247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max105A
Voltage, Vce Sat Max2.75V
Power Dissipation595W
Case StyleSuper-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed240A
Time, Fall Max58ns
Time, Rise32ns


IRGPS60B120KDP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGPS60B120KDP

НаименованиеIRGPS60B120KDP
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул232200
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1030,00 руб
от 2 шт. 902,00 руб
от 4 шт. 773,00 руб
от 9 шт. 710,00 руб
Наличие на складе
1442 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом