Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGPS60B120KDP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, W/DIODE, 1200V, 105A, SUPER247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max105A
Voltage, Vce Sat Max2.75V
Power Dissipation595W
Case StyleSuper-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed240A
Time, Fall Max58ns
Time, Rise32ns


IRGPS60B120KDP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGPS60B120KDP

Наименование IRGPS60B120KDP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 232200
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
1280,00 руб
от 3 шт. 1090,00 руб
от 7 шт. 1000,00 руб
Наличие на складе
176 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом