Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFL014NTRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id1.9A
On Resistance, Rds(on)160mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs20V
Package/Case223-SOT
Power Dissipation, Pd2.1W


Параметры IRFL014NTRPBF

Наименование IRFL014NTRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 231578
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFL014NTRPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFL014NPBF

    IRFL014NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:190pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:64nC; Current, Iar:1.7A; Current, Idm Pulse:15A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:7.3mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:0.1mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:48mJ; Gfs, Min:1.6A/V; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL014N; Power Dissipation:1.0W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
19,90 руб
от 70 шт. 17,40 руб
от 203 шт. 14,90 руб
от 441 шт. 13,70 руб
Наличие на складе
8723 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом