Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFL014NTRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id1.9A
On Resistance, Rds(on)160mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs20V
Package/Case223-SOT
Power Dissipation, Pd2.1W


Параметры IRFL014NTRPBF

НаименованиеIRFL014NTRPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул231578
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRFL014NTRPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFL014NPBF

    IRFL014NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:190pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:64nC; Current, Iar:1.7A; Current, Idm Pulse:15A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:7.3mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:0.1mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:48mJ; Gfs, Min:1.6A/V; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL014N; Power Dissipation:1.0W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
19,50 руб
от 69 шт. 17,00 руб
от 201 шт. 14,60 руб
от 437 шт. 13,40 руб
Наличие на складе
13178 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом