Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFL014NTRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id1.9A
On Resistance, Rds(on)160mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs20V
Package/Case223-SOT
Power Dissipation, Pd2.1W


Параметры IRFL014NTRPBF

Наименование IRFL014NTRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 231578
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRFL014NTRPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFL014NPBF

    IRFL014NPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:190pF; Charge, Qrr Typ @ Tj = 25°C:64nC; Current, Iar:1.7A; Current, Idm Pulse:15A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:7.3mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:0.1mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:48mJ; Gfs, Min:1.6A/V; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL014N; Power Dissipation:1.0W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
17,60 руб
от 195 шт. 15,10 руб
от 424 шт. 13,90 руб
Наличие на складе
18303 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом