Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRFL4310PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 100V, 1.6A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont1.6A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse13A
Depth, External7.3mm
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDFL4310
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A60°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External6.7mm
Width, Tape12mm


IRFL4310PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFL4310PBF

Наименование IRFL4310PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 231577
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRFL4310PBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFL4310

    IRFL4310
    INFIN

    MOSFET, N SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Current, Id Cont:1.6A; Resistance, Rds On:0.2ohm; Case Style:SOT-223; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:13A; Depth, External:7.3mm; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL4310; Power Dissipation:2.1W; Power, Pd:2.1W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Transistors, No.…

  • Изображение  BSP373NH6327XTSA1

    BSP373NH6327XTSA1
    INFIN

    20V-800V N-Channel Small Signal MOSFET, All Small Signal N-Channel products are suitable for automotive applications (excluding 2N7002). Возможности

  • Изображение  IRFL4310TRPBF

    IRFL4310TRPBF
    INFIN

    MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:1.6A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:223-SOT; Power Dissipation, Pd:2.1W

  • Изображение  IPB530N15N3GATMA1

    IPB530N15N3GATMA1
    INFIN

    100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

Изображения IRFL4310PBF

IRFL4310PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFL4310PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
26,40 руб
от 53 шт. 23,10 руб
от 160 шт. 19,80 руб
от 320 шт. 18,20 руб
Наличие на складе
10917 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом