Терраэлектроника

IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont60A
Resistance, Rds On0.032ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse240A
Power Dissipation320W
Power, Pd320W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V32ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.47°C/W
Voltage, Vds Max150V


IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRFB52N15DPBF

НаименованиеIRFB52N15DPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул230449
Корпус
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение сток-исток
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов
Тмакс,°C

Аналоги IRFB52N15DPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRFB4321PBF

    IRFB4321PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    MOSFET, N, 150V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:83A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4321; Charge, Gate N-channel:71nC; Current, Idm Pulse:330A; Pins, No.…

  • Изображение  IRFB52N15D

    IRFB52N15D
    INFIN

    Полевой транзистор. 150V. 60A.

Изображения IRFB52N15DPBF

IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
127,50 руб
от 12 шт. 111,50 руб
от 33 шт. 95,50 руб
от 72 шт. 87,50 руб
Наличие на складе
714 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом