Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

SPB20N60S5ATMA1, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

LS: полупроводн.

Описание с сайта производителя

Возможности

  • Innovative high voltage technology
  • Worldwide best R DS(on) in TO-251 and TO-252
  • Ultra low gate charge
  • Periodic avalanche rated
  • Extreme dv/dt rated
  • Ultra low effective capacitances
  • Improved transconductance

Параметры SPB20N60S5ATMA1

Наименование SPB20N60S5ATMA1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 230111
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Корпус
Рассеиваемая мощность

Аналоги SPB20N60S5ATMA1, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
215,00 руб
от 17 шт. 184,00 руб
от 36 шт. 169,00 руб
Наличие на складе
798 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом