Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

MOSFET, N, 30V, 200A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont200A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse1040A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.003ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V


IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3713SPBF

НаименованиеIRL3713SPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул229826
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Макс. напряжение сток-исток
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Rds(on)
Номинальное напряжение затвора
Ток стока Id
Rds(on) @ Vgs
Кол-во выводов

Аналоги IRL3713SPBF, доступные на складе

Изображения IRL3713SPBF

IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
167,00 руб
от 8 шт. 146,00 руб
от 24 шт. 126,00 руб
от 50 шт. 115,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом