Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

OBS Позиция снята с производства

MOSFET, N, 30V, 200A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont200A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse1040A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.003ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V


IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRL3713SPBF

Наименование IRL3713SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 229826
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRL3713SPBF, доступные на складе

Изображения IRL3713SPBF

IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRL3713SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
148,00 руб
от 24 шт. 127,00 руб
от 50 шт. 116,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом