Терраэлектроника

M27C512-12F3, STMicroelectronics

Электрически программируемая ИМС памяти EPROM c УФ стиранием. Емкость 512 КБит (64Кбх8). В корпусе FDIP28W. Время обращения 120 нс. Напряжение питания +5 V +/-10%. Температурный диапазон -40/+125 С.


M27C512-12F3, STMicroelectronics

Параметры M27C512-12F3

НаименованиеM27C512-12F3
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул22950
Организация памяти
Uпит, В
Время доступа, нс
Iпотр/Istnb мА/мкА
Температурный диапазон, °С

Аналоги M27C512-12F3, доступные на складе

  • Изображение  M27C512-15F1

    M27C512-15F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-28-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 кбит; Организация: 64Kx8; Скорость: 150ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

  • Изображение  M27C512-12F1

    M27C512-12F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-28-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 кбит; Организация: 64Kx8; Скорость: 120ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

  • Изображение  M27C512-10F1

    M27C512-10F1
    ST

    Энергонезависимая память - [DIP-28-C]; Тип: EPROM UV; Интерфейс: параллельный; Объём: 512 кбит; Организация: 64Kx8; Скорость: 100ns; Напряжение: 4.5...5.5 В

  • Изображение  TMS27C512-15JL

    TMS27C512-15JL
    TI

    524 288-Bit Programmable Read-Only Memory 28-CDIP 0 to 70

Показать все сопутствующие товары

Изображения M27C512-12F3

M27C512-12F3, STMicroelectronics M27C512-12F3, STMicroelectronics
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом