Терраэлектроника

M29F080D70N6E, STMicroelectronics

Микросхема Flash памяти. Емкость 8 Мбит (1Мбх8). В корпусе TSOP40. Время обращения 70 нс. Напряжение питания 5 V+/- 10%. Температурный диапазон -40/+85 С.


Параметры M29F080D70N6E

НаименованиеM29F080D70N6E
ПроизводительSTMicroelectronics (ST)
Артикул228890
НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом