Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGB4060DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IGBT, 600V, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max16A
Voltage, Vce Sat Max1.55V
Power Dissipation99W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed32A
Power, Pd99W
Time, Rise15ns
Voltage, Vceo600V


IRGB4060DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB4060DPBF

Наименование IRGB4060DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 228452
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Изображения IRGB4060DPBF

IRGB4060DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB4060DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
170,00 руб
от 21 шт. 146,00 руб
от 45 шт. 134,00 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом