Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1503SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 30V, 190A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont190A
Resistance, Rds On0.0033ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse960A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.0033ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max4V


Параметры IRF1503SPBF

Наименование IRF1503SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 228201
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)

Аналоги IRF1503SPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом