Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRF1503SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

NRND Не рекомендуется для новых разработок

MOSFET, N, 30V, 190A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont190A
Resistance, Rds On0.0033ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse960A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.0033ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max4V


Параметры IRF1503SPBF

Наименование IRF1503SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 228201
Рассеиваемая мощность
Тмакс,°C
Корпус
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

Аналоги IRF1503SPBF, доступные на складе

НА СКЛАДЕ
Запросить цену
По запросу
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом