Терраэлектроника

BD137G, On Semiconductor

1.5 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor


BD137G, On Semiconductor

Параметры BD137G

НаименованиеBD137G
ПроизводительOn Semiconductor (ONS)
Артикул227819
Ток коллектора
Рассеиваемая мощность
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Граничная рабочая частота
Напряжение КЭ макс.
DC коэффициент усиления по току hFE
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура

Аналоги BD137G, доступные на складе

  • Изображение  BD139-10

    BD139-10
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

  • Изображение  BD139-16

    BD139-16
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 100...250

  • Изображение  BD139

    BD139
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

Изображения BD137G

BD137G, On Semiconductor BD137G, On Semiconductor BD137G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
22,20 руб
от 61 шт. 19,40 руб
от 177 шт. 16,60 руб
от 385 шт. 15,30 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом