Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

BD137G, On Semiconductor

1.5 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor


BD137G, On Semiconductor

Параметры BD137G

Наименование BD137G
Производитель On Semiconductor (ONS)
Артикул 227819
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Vce макс.
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность

Аналоги BD137G, доступные на складе

  • Изображение  BD139

    BD139
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

  • Изображение  BD139-16

    BD139-16
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 100...250

  • Изображение  BD139-10

    BD139-10
    ST

    Склад (1-2 дн)

    Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

Изображения BD137G

BD137G, On Semiconductor BD137G, On Semiconductor BD137G, On Semiconductor
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
24,50 руб
от 58 шт. 21,40 руб
от 167 шт. 18,40 руб
от 364 шт. 16,90 руб
Наличие на складе
Нет на складе,
сообщить о поступлении
Уведомить о поступлении
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом