Ваш город: Москва
+7 (495) 221-78-04
+7 (812) 327-327-1
Терраэлектроника

IRGB4061DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

RND Рекомендуется для новых разработок

IGBT, 600V, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max36A
Voltage, Vce Sat Max1.65V
Power Dissipation206W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed72A
Power, Pd206W
Time, Rise25ns
Voltage, Vceo600V


IRGB4061DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRGB4061DPBF

Наименование IRGB4061DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 227674
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

Аналоги IRGB4061DPBF, доступные на складе

  • Изображение  IRGB4630DPBF

    IRGB4630DPBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,

  • Изображение  IRGB20B60PD1PBF

    IRGB20B60PD1PBF
    INFIN

    Склад (1-2 дн)

    IGBT, 600V, 40A, TO-220AB; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:600V; Current, Ic Continuous a Max:40A; Voltage, Vce Sat Max:2.35V;…

Изображения IRGB4061DPBF

IRGB4061DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRGB4061DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
199,00 руб
от 7 шт. 174,00 руб
от 21 шт. 149,00 руб
от 50 шт. 137,00 руб
Наличие на складе
14 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом