Терраэлектроника

IRG4PH30KPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max20A
Voltage, Vce Sat Max3.1V
Power Dissipation100W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed40A
Pins, No. of3
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max170ns
Time, Rise23ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V


IRG4PH30KPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)

Параметры IRG4PH30KPBF

НаименованиеIRG4PH30KPBF
ПроизводительInfineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул226848
Напряжение насыщения К-Э
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение К-Э макс.
Корпус
Рассеиваемая мощность Pd
Кол-во выводов
Максимальная рабочая температура
Серия

Аналоги IRG4PH30KPBF, доступные на складе

Изображения IRG4PH30KPBF

IRG4PH30KPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH30KPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
НА СКЛАДЕ
Цена (включая НДС)
137,00 руб
от 10 шт. 120,00 руб
от 25 шт. 103,00 руб
от 75 шт. 94,50 руб
Наличие на складе
251 шт.
поиск по складам

Заметили ошибку в работе сайта?
Скажите нам об этом